肖特基二极管

HSMS-285P-TR1G

HSMS-285P-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Quad Bridge
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2 V
Frequency Range:UHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.25@1mA V
Typical Video Resistance:8 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:40@915MHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-57@915MHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
肖特基二极管 更新于 2026-07-22 Tag标签:肖特基二极管

BAT54SDW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54SDW内部电路图

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BAS40W-04

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS40W-04内部电路图

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SD101AWS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    SD101AWS内部电路图

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BAT46W

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT46W内部电路图

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SMS7621-517

电气特性 Features

Configuration:Dual Parallel
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2(Min) V
Frequency Range:SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.32@1mA V
Maximum Power Dissipation:75 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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BAS40-04

BAS40-04

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS40-04内部电路图

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MBR0520

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    MBR0520内部电路图

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BAT64X

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT64X内部电路图

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B2020WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B2020WS内部电路图

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BAS70T

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70T内部电路图

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HSMS-286E-TR2G

HSMS-286E-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Anode
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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HSMS-286L-TR2G

HSMS-286L-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Triple Parallel
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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BAT54ADW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54ADW内部电路图

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BAS70BRW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70BRW内部电路图

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