更新于 2025-06-10
电气特性 Features
| Configuration: | Single |
| Channel Type: | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage: | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current: | 46 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | ±20 V |
| Mounting: | Through Hole |
SKW25N120
相关文章
- 超高速(8-30kHz)IGBT模块,Vces: 1200V,Vce(ON)@25℃(typ): 3.37V
- 高速(1-8kHz)IGBT模块,Vces: 600V,Ic@100℃: 17A,Vce(ON)@25℃(typ): 1.59V
- 超高速(8-30kHz)IGBT模块,Vces: 600V,Ic@100℃: 16A,Vce(ON)@25℃(typ): 2.21V
- DC-1kHz(标准)IGBT模块,Vces: 600V,Ic@100℃: 31A,Vce(ON)@25℃(typ): 1.32V
- 超高速(8-30kHz)IGBT模块,Vces: 1200V,Ic@100℃: 10A,Vce(ON)@25℃(typ): 3.10V