P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 120W
• Id@TC 25C: -21A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
• Qg(Typ): 38nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65mΩ
• Qg(Typ): 42nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 61.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 23.3nC
• Rth(JC): 2.7K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 56W
• Id@TC 25C: -17A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
• Qg(Typ): 33.0nC
• Rth(JC): 20K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• Qg(Typ): 16.0nC
• Rth(JC): 6.0K/W
• Id@TC 25C: -24A

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 62.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
• Qg(Typ): 23.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
• Qg(Typ): 2.0nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
• Qg(Typ): 5.4nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W