电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 40.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω,Qg(Typ): 120.0nC,Rth(JC): 0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C: 200W,Id@TC 25C: -40A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -40V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ,Qg(Typ): 53.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 4.6m?,RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ,Qg(Typ): 58.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 45.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ,Qg(Typ): 39.3nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W