更新于 2025-07-27电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
- Qg(Typ): 8.3nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
- Id@TC 25C: -4.0A
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ,Qg(Typ): 110nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 4.6m?,RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ,Qg(Typ): 58.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs: 8V,RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ,Qg(Typ): 91.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ,Qg(Typ): 25.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ,Qg(Typ): 2.9nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W