双N-双P沟道MOS管
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 21.6mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 12V
- Rth(JA): 86℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 13.7mΩ
- Rth(JA): 62.5 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 140.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 270.0mΩ
- RDS(on)@2.7V N-ch: 200.0mΩ
- RDS(on)@2.7V P-ch: 400.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 5.3nC
- Qg Typ P-ch: 5.4nC
- Qgd Typ N-ch: 2.2nC
- Qgd Typ P-ch: 2.4nC
- Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 17.9mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 160mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 58mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 30mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 98mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 30mΩ
- Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 450mΩ
- Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 32mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.35mΩ
- Rth(JA): 19.1℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 18.3mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 90.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
- RDS(on)@2.7V N-ch: 70.0mΩ
- RDS(on)@2.7V P-ch: 140.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 13.3nC
- Qg Typ P-ch: 14.7nC
- Qgd Typ N-ch: 5.3nC
- Qgd Typ P-ch: 6.0nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
更新于 2025-11-06