更新于 2025-11-06
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 150.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 6.9nC
- Qg Typ P-ch: 6.1nC
- Qgd Typ N-ch: 1.8nC
- Qgd Typ P-ch: 1.1nC
- Rth(JA): 62.5℃/W