更新于 2025-06-12
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 400mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
IRF7104
相关文章
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 100V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 65℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ,Qg Typ N-ch: 16.7nC,Qg Typ P-ch: 16.7nC,Qgd Typ N-ch: 5.3nC,Qgd Typ P-ch: 6.0nC,Rth(JA): 90℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ,Qg Typ N-ch: 22.0nC,Qg Typ P-ch: 23.0nC,Qgd Typ N-ch: 6.4nC,Qgd Typ P-ch: 5.9nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 18.7mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 55V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ,Qg Typ N-ch: 24.0nC,Qg Typ P-ch: 26.0nC,Qgd Typ N-ch: 7.0nC,Qgd Typ P-ch: 8.4nC,Rth(JA): 62.5℃/W