更新于 2025-09-16电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.0mΩ
- Rth(JA): 24℃/W
相关文章
- 1N-1P双沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ,Qg Typ N-ch: 22.0nC,Qg Typ P-ch: 23.0nC,Qgd Typ N-ch: 6.4nC,Qgd Typ P-ch: 5.9nC,Rth(JA): 50℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 21.3mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道带肖特基的MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 16V,RDS(on) Max@4.5V: 1.0mΩ,Rth(JA): 24℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 80mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 13.7mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W