更新于 2025-06-11电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.9mΩ
- Rth(JA): 60℃/W
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- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ,Qg Typ N-ch: 6.8nC,Qg Typ P-ch: 8.1nC,Qgd Typ N-ch: 0.98nC,Qgd Typ P-ch: 2.1nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 175.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 110.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 200.0mΩ,Qg Typ N-ch: 7.8nC,Qg Typ P-ch: 7.5nC,Qgd Typ N-ch: 2.5nC,Qgd Typ P-ch: 2.5nC,Rth(JA): 100℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 32mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W