更新于 2025-06-11电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 5.9mΩ
- Rth(JA): 72℃/W
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- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ,Qg Typ N-ch: 9.4nC,Qg Typ P-ch: 10.0nC,Qgd Typ N-ch: 3.1nC,Qgd Typ P-ch: 2.8nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 1.4mΩ,Rth(JA): 40℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 150V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 65℃/W