更新于 2025-06-12
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 29.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 58.0mΩ
- RDS(on)@2.7V N-ch: 46.0mΩ
- RDS(on)@2.7V P-ch: 98.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 18.0nC
- Qg Typ P-ch: 19.0nC
- Qgd Typ N-ch: 6.2nC
- Qgd Typ P-ch: 7.7nC
- Rth(JA): 62.5℃/W