更新于 2025-06-10
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
IRF7342PBF-1
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