更新于 2025-06-12
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 150mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
IRF7101
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- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 13.7mΩ,Rth(JA): 62.5 (Q2)℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 18.3mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 175.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 110.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 200.0mΩ,Qg Typ N-ch: 7.8nC,Qg Typ P-ch: 7.5nC,Qgd Typ N-ch: 2.5nC,Qgd Typ P-ch: 2.5nC,Rth(JA): 100℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 4.9mΩ,Rth(JA): 72℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on)@4.5V N-ch: 29.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 58.0mΩ,RDS(on)@2.7V N-ch: 46.0mΩ,RDS(on)@2.7V P-ch: 98.0mΩ,Qg Typ N-ch: 18.0nC,Qg Typ P-ch: 19.0nC,Qgd Typ N-ch: 6.2nC,Qgd Typ P-ch: 7.7nC,Rth(JA): 62.5℃/W