更新于 2025-06-11
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 400mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
IRF9953
相关文章
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ,Qg Typ N-ch: 9.4nC,Qg Typ P-ch: 10.0nC,Qgd Typ N-ch: 3.1nC,Qgd Typ P-ch: 2.8nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 80V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on)@4.5V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 90.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ,RDS(on)@2.7V N-ch: 70.0mΩ,RDS(on)@2.7V P-ch: 140.0mΩ,Qg Typ N-ch: 13.3nC,Qg Typ P-ch: 14.7nC,Qgd Typ N-ch: 5.3nC,Qgd Typ P-ch: 6.0nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 98mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W