IRF7307Q

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电气特性 Features

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更新于 2025-06-11

电气特性 Features

• 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 75.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 180.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 45.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 90.0mΩ,Qg Typ N-ch: 16.7nC,Qg Typ P-ch: 16.7nC,Qgd Typ N-ch: 5.3nC,Qgd Typ P-ch: 6.0nC,Rth(JA): 50℃/W

更新于 2025-06-11

电气特性 Features

• 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 18.7mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-06-11

电气特性 Features

• 双N沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-06-11

电气特性 Features

• 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 18mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-06-11