IRF7379

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电气特性 Features

• 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ,Qg Typ N-ch: 9.4nC,Qg Typ P-ch: 10.0nC,Qgd Typ N-ch: 3.1nC,Qgd Typ P-ch: 2.8nC,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-27

电气特性 Features

• 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 90mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-27

电气特性 Features

• 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 160mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-27

电气特性 Features

• 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ,Qg Typ N-ch: 6.8nC,Qg Typ P-ch: 8.1nC,Qgd Typ N-ch: 0.98nC,Qgd Typ P-ch: 2.1nC,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-27

电气特性 Features

• 双N沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 62.5℃/W

更新于 2025-07-27