电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
- Qg(Typ): 73.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
相关文章
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ,Qg(Typ): 61.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 37.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ,Qg(Typ): 6.9nC,Rth(JC): 13K/W,Id@TC 25C: -13A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ,Qg(Typ): 23.3nC,Rth(JC): 2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C: 56W,Id@TC 25C: -17A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ,Qg(Typ): 38.7nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -14A