电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
- Qg(Typ): 27nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs: 8V,RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ,Qg(Typ): 91.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ,Qg(Typ): 38.7nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ,Qg(Typ): 32.0nC,Rth(JC): 3.8K/W,Power Dissipation@TC 25C: 33W,Id@TC 25C: -38A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ,Qg(Typ): 40.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W