电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
- Qg(Typ): 27nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ,Qg(Typ): 33nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ,Qg(Typ): 27nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ,Qg(Typ): 31.0nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -20A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ,Qg(Typ): 44.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: -13A