电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
- Qg(Typ): 44.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -13A
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 175mΩ,Qg(Typ): 12.7nC,Rth(JC): 3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 38W,Id@TC 25C: -8A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ,Qg(Typ): 12.7nC,Rth(JC): 3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 45W,Id@TC 25C: -12A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ,Qg(Typ): 8.0nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ,Qg(Typ): 2.9nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W