更新于 2026-04-22电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
- Qg(Typ): 2.4nC
- Rth(JC): 230 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,Qg(Typ): 120.0nC,Rth(JC): 0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C: 200W,Id@TC 25C: -40A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ,Qg(Typ): 6.0nC,Rth(JC): 20K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ,Qg(Typ): 3.4nC,Rth(JC): 230 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ,Qg(Typ): 44.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: -13A