电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
- Qg(Typ): 5.8nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ,Qg(Typ): 8.3nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 25C: 2.0W,Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ,Qg(Typ): 27nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ,Qg(Typ): 6.9nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ,Qg(Typ): 12.7nC,Rth(JC): 3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 45W,Id@TC 25C: -12A