电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- Id@TC 25C: -5.3A
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ,Qg(Typ): 6nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ,Qg(Typ): 14.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ,Qg(Typ): 12.7nC,Rth(JC): 3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 38W,Id@TC 25C: 11A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 32.5mΩ,Qg(Typ): 14.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W