电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- Id@TC 25C: -5.3A
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ,Qg(Typ): 31.0nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -20A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 62.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ,Qg(Typ): 23.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ,Qg(Typ): 38.7nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 66W,Id@TC 25C: 13A
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,Qg(Typ): 42.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: -31A