P沟道场效应管

IRF9540NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHS9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 37.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.9nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Id@TC 25C: -13A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9310

IRF9310

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7420PBF-1

IRF7420PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
  • Qg(Typ): 38nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: -8.2A
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IRF9321

IRF9321

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
  • Qg(Typ): 34.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7204

IRF7204

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7406

IRF7406

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9328

IRF9328

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803D2

IRF5803D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-07-21 Tag标签:P沟道场效应管