P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6m?
• RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
• Qg(Typ): 58.0nC
• Rth(JC): 1.6K/W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6m?
• RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
• Qg(Typ): 58.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65mΩ
• Qg(Typ): 42nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
• Qg(Typ): 33.3nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
• Qg(Typ): 91.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 61.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
• Qg(Typ): 6nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
• Qg(Typ): 75nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 40.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
• Qg(Typ): 11.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 70.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
• Qg(Typ): 27.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features