P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 205mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 66W
• Id@TC 25C: -8.2A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 21.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 57W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
• Qg(Typ): 2.9nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 5.8nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 42.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -28A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
• Qg(Typ): 31.0nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 79W
• Id@TC 25C: -20A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
• Qg(Typ): 12.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
• Qg(Typ): 32.0nC
• Rth(JC): 3.8K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 33W
• Id@TC 25C: -38A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 45W
• Id@TC 25C: -12A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 61.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
• Qg(Typ): 8.0nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
• Qg(Typ): 3.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
• Qg(Typ): 87.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features