P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 120W
• Id@TC 25C: -21A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
• Qg(Typ): 21.0nC
• Rth(JC): 0.61K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 250W
• Id@TC 25C: -27A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 480mΩ
• Qg(Typ): 18nC
• Rth(JC): 3.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 39W
• Id@TC 25C: -4.1A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
• Qg(Typ): 3.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
• Qg(Typ): 11.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 13.5m?
• RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
• Qg(Typ): 75.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 6.6m?
• RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
• Qg(Typ): 31.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 170W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 23.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 68W
• Id@TC 25C: 19A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
• Qg(Typ): 2.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
• Qg(Typ): 38nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 15.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
• Qg(Typ): 73.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W