P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 79W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
• Qg(Typ): 18.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 150.0mΩ
• Qg(Typ): 20.0nC
• Rth(JC): 70 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 105mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
• Qg(Typ): 31nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 79W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
• Qg(Typ): 6nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
• Qg(Typ): 11.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
• Qg(Typ): 87.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
• Qg(Typ): 2.9nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
• Qg(Typ): 130.0nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 113W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 25V
• RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
• Qg(Typ): 32.0nC
• Rth(JC): 3.8K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 33W
• Id@TC 25C: -38A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 200W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
• Qg(Typ): 110nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features