P沟道场效应管

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
• Qg(Typ): 12.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 17.5m?
• RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 62.0m?
• RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
• Qg(Typ): 23.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 105mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
• Qg(Typ): 31nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 79W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 4.6m?
• RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
• Qg(Typ): 58.0nC
• Rth(JC): 1.6K/W
• Id@TC 25C: -40A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
• Qg(Typ): 21.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 57W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
• Qg(Typ): 2.4nC
• Rth(JC): 230 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
• Qg(Typ): 4.8nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -12V
• Vgs: 8V
• RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
• Qg(Typ): 91.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
• Qg(Typ): 64.7nC
• Rth(JC): 1.1K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 140W
• Id@TC 25C: -23A

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
• Qg(Typ): 7.2nC
• Rth(JC): 75 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -100V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
• Qg(Typ): 38.7nC
• Rth(JC): 1.9K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
• Id@TC 25C: -14A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
• Qg(Typ): 40.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features