P沟道场效应管

IRF5803D2

IRF5803D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9317

IRF9317

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6302TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:135 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424

IRF7424

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9530NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7205PBF-1

IRF7205PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: 19A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML5203

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7524D1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.4nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML2246

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

MMBF5461

MMBF5461

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5210S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-09-16 Tag标签:P沟道场效应管