更新于 2026-06-05电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
- Qg(Typ): 2.9nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ,Qg(Typ): 75nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
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