更新于 2025-09-17
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
- Qg(Typ): 33.0nC
- Rth(JC): 20K/W
IRF6216
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ,Qg(Typ): 21.0nC,Rth(JC): 0.61K/W,Power Dissipation@TC 25C: 250W,Id@TC 25C: -27A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 7.2m?,RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ,Qg(Typ): 34.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ,Qg(Typ): 4.8nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W