电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
- Qg(Typ): 87.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 7.2m?,RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ,Qg(Typ): 34.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,Id@TC 25C: -5.3A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs: 8V,RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ,Qg(Typ): 38nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,Qg(Typ): 120.0nC,Rth(JC): 0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C: 170W,Id@TC 25C: -40A