电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
- Qg(Typ): 38.7nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 66W
- Id@TC 25C: 13A
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 13.5m?,RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ,Qg(Typ): 75.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ,Qg(Typ): 38.7nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 3.8W,Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ,Qg(Typ): 64.7nC,Rth(JC): 1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C: 140W,Id@TC 25C: -23A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ,Qg(Typ): 25.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W