电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
- Qg(Typ): 8.0nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 580mΩ,Qg(Typ): 44nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: -9A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ,Qg(Typ): 23.3nC,Rth(JC): 2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C: 68W,Id@TC 25C: -19A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ,Qg(Typ): 38.7nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 3.8W,Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 59.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ,Qg(Typ): 4.7nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W