更新于 2025-06-11电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
- Qg(Typ): 21.3nC
- Rth(JC): 2.2K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 57W
- Id@TC 25C: -18A
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- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ,Qg(Typ): 6nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ,Qg(Typ): 42.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 89W,Id@TC 25C: -28A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ,Qg(Typ): 44.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: -13A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ,Qg(Typ): 12.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ,Qg(Typ): 16.0nC,Rth(JC): 6.0K/W,Id@TC 25C: -24A