电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
- Qg(Typ): 64.7nC
- Rth(JC): 1.1K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 140W
- Id@TC 25C: -23A
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ,Qg(Typ): 64.7nC,Rth(JC): 1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 120W,Id@TC 25C: -21A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 25V,RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ,Qg(Typ): 32.0nC,Rth(JC): 3.8K/W,Power Dissipation@TC 25C: 33W,Id@TC 25C: -38A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -40V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ,Qg(Typ): 25.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ,Qg(Typ): 5.4nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W