电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
- Qg(Typ): 38nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ,Qg(Typ): 8.3nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 25C: 2.0W,Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -40V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ,Qg(Typ): 25.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
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电气特性 Features
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