P沟道场效应管

IRF5803D2

IRF5803D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7416PBF-1

IRF7416PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 61.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7406

IRF7406

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6401TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
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IRLMS5703

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5210L

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9310PBF-1

IRF9310PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 110nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
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IRF7321D2

IRF7321D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
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IRFU9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
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PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRF7726

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 46.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9328

IRF9328

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7425PBF-1

IRF7425PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7406PBF-1

IRF7406PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2026-03-07 Tag标签:P沟道场效应管