P沟道场效应管

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
• Qg(Typ): 5.4nC
• Rth(JC): 100 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
• Qg(Typ): 75nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -40V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
• RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
• Qg(Typ): 25.0nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
• Qg(Typ): 120.0nC
• Rth(JC): 0.75K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 170W
• Id@TC 25C: -74A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -150V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
• Qg(Typ): 44.0nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 110W
• Id@TC 25C: -13A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 12V
• RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
• Qg(Typ): 87.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

电气特性 Features

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
• Qg(Typ): 23.3nC
• Rth(JC): 2.2K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 68W
• Id@TC 25C: -19A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 65mΩ
• Qg(Typ): 42nC
• Rth(JC): 1.4K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 89W
• Id@TC 25C: -18A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -30V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 17.5m?
• RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
• Qg(Typ): 14.0nC
• Rth(JC): 50 (JA)K/W

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -55V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
• Qg(Typ): 12.7nC
• Rth(JC): 3.3K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 45W
• Id@TC 25C: -12A

电气特性 Features

• P沟道功率MOS管
• Vbrdss: -20V
• Vgs: 20V
• RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
• Qg(Typ): 8.3nC
• Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
• Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
• Id@TC 25C: -4.0A

电气特性 Features