电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
- Qg(Typ): 6.9nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs: 8V,RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ,Qg(Typ): 38.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ,Qg(Typ): 64.7nC,Rth(JC): 1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C: 3.8W,Id@TC 25C: -23A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ,Qg(Typ): 110nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -150V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 580.0mΩ,Qg(Typ): 44.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 110W,Id@TC 25C: 13A