电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
- Qg(Typ): 6.9nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 59.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ,Qg(Typ): 4.7nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 98.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ,Qg(Typ): 9.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ,Qg(Typ): 61.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ,Qg(Typ): 12.7nC,Rth(JC): 3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 45W,Id@TC 25C: -12A