P沟道场效应管

IRF9530NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7342D2

IRF7342D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 26.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6218

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7410

IRF7410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

J175_D26Z

J175_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:135 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z34NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
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IRF9328

IRF9328

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRFHS9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 37.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.9nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Id@TC 25C: -13A
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J176_D26Z

J176_D26Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9540NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 140W
  • Id@TC 25C: -23A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9332

IRF9332

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ177

MMBFJ177

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6218S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管