P沟道场效应管

IRF5805

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 11.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML9301

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRLMS6702

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5505

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9383M

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
  • Qg(Typ): 130.0nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 113W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9317

IRF9317

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9310

IRF9310

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

MMBFJ176

MMBFJ176

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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IRF9Z34NL

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: -19A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7404

IRF7404

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803D2

IRF5803D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9388

IRF9388

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管