电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
- Qg(Typ): 91.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ,Qg(Typ): 2.9nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ,Qg(Typ): 18.0nC,Rth(JC): 3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C: 39W,Id@TC 25C: -6.5A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ,Qg(Typ): 9.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ,Qg(Typ): 61.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W