电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
- Qg(Typ): 91.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
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电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 105mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ,Qg(Typ): 31nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 400.0m?,Qg(Typ): 7.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -100V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ,Qg(Typ): 64.7nC,Rth(JC): 1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C: 120W,Id@TC 25C: -21A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ,Qg(Typ): 9.5nC,Rth(JC): 100 (JA)K/W