P沟道场效应管

IRLML2246

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7241

IRF7241

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 53.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7425

IRF7425

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7205PBF-1

IRF7205PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF4905S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -74A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7420PBF-1

IRF7420PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
  • Qg(Typ): 38nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:135 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRLML6402TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5805

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 11.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7404PBF-1

IRF7404PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 32.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7524D1

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.4nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRFU5410

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: -8.2A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9520NS

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-11 Tag标签:P沟道场效应管