P沟道场效应管

IRLML5203TRPBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 9.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

SI4435DY

SI4435DY

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 40.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRFR9120N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -6.5A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF9Z24N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7205

IRF7205

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5803D2

IRF5803D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5210

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 200W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF5805

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 11.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRFP9140N

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 120W
  • Id@TC 25C: -21A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6217

IRF6217

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.0nC
  • Rth(JC): 20K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF6218S

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRF7321D2

IRF7321D2

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRFH9310

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 1.6K/W
  • Id@TC 25C: -40A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管

IRLU9343

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Qg(Typ): 31nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 79W
  • Id@TC 25C: -14A
P沟道场效应管 更新于 2025-06-10 Tag标签:P沟道场效应管