场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
- Id: 110A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
- Id: 180A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 28.0mΩ
- Id: 39A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 13.7mΩ
- Rth(JA): 62.5 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
- Id: 9.4A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 220A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.6mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
- Id: 120A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 65℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
- Id: 30A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
- Qg(Typ): 110nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
- Id: 57A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
- Qg(Typ): 6.0nC
- Rth(JC): 20K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
- Id: 160A
更新于 2026-03-11