场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
- Qg(Typ): 64.7nC
- Rth(JC): 1.1K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 140W
- Id@TC 25C: -23A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
- Qg(Typ): 21.0nC
- Rth(JC): 0.61K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 250W
- Id@TC 25C: -27A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
- Id: 409A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
- Id: 62A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
- Id: 31A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16mΩ
- Id: 40A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
- Id: 35A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 23mΩ
- Id: 40A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
- Qg(Typ): 2.9nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 220.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 14.7mΩ
- Id: 86A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 5.9mΩ
- Rth(JA): 72℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 89A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
- Id: 62A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 123A
更新于 2026-06-14