场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16mΩ
- Id: 40A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 250V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
- Id: 46A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 220A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
- Id: 340A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 270A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
- Id: 355A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
- Qg(Typ): 23.3nC
- Rth(JC): 2.2K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 68W
- Id@TC 25C: -19A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
- Id: 170A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
- Id: 246A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
- Id: 213A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
- Id: 40A
更新于 2026-08-02