肖特基二极管

HSMS-286P-TR1G

HSMS-286P-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Quad Bridge
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
肖特基二极管 更新于 2026-03-10 Tag标签:肖特基二极管

HSMS-286B-BLKG

HSMS-286B-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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BAT64-04

BAT64-04

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT64-04内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2026-03-10 Tag标签:肖特基二极管

CDC7630-000

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2 V
Frequency Range:Ka
Maximum Power Dissipation:75 mW
Typical Video Resistance:4.25 kOhm
Typical Tangential Sensitivity:-52(Max) dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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RB520S-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB520S-40内部电路图

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BAS70

BAS70

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70内部电路图

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MA729

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    MA729内部电路图

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CDB7620-000

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2 V
Frequency Range:Ka
Maximum Diode Capacitance:0.15 pF
Maximum Forward Voltage:0.35 V
Maximum Power Dissipation:75 mW
Typical Video Resistance:537 kOhm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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SD101AWS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    SD101AWS内部电路图

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MMBD301

MMBD301

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    MMBD301内部电路图

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RB160M-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB160M-40内部电路图

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HSMS-8207-BLKG

HSMS-8207-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Quad Ring
Minimum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:X|Ku
Maximum VSWR:1.2(Typ)
Maximum Conversation Loss:6.3(Typ) dB
Maximum Diode Capacitance:0.26 pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Maximum IF Impedance:150(Typ) Ohm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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RB501V-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB501V-40内部电路图

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BAT54CDW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54CDW内部电路图

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BAS40-04

BAS40-04

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS40-04内部电路图

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