场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
- Id: 210A
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 290mΩ
- Rth(JA): 90℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 172A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
- Id: 171A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 98.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
- Qg(Typ): 9.5nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
- Id: 99A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.2m?
- RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
- Qg(Typ): 34.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
- Id: 96A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
- Qg(Typ): 10.0nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
更新于 2026-06-30