场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
- Id: 59A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
- Id: 124A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
- Id: 116A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
- Qg(Typ): 7.2nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
- Id: 51A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 70.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
- Qg(Typ): 27.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
- Id: 65A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 60.0m?Ω
- Qg(Typ): 120.0nC
- Rth(JC): 0.75K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 200W
- Id@TC 25C: -40A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
- Qg(Typ): 25.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 580mΩ
- Qg(Typ): 44nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -9A
更新于 2026-03-10