场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
- Id: 49A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
- Qg(Typ): 6.9nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 32.0mΩ
- Id: 60A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
- Id: 259A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
- Id: 82A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 45mΩ
- Rth(JA): 86℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
- Id: 73A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
- Id: 162A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
- Qg(Typ): 8.3nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
- Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
- Id: 74A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 190A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
更新于 2026-06-27