场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 98A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
- Id: 37A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
- Id: 67A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.2mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
- Id: 135A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.9mΩ
- Rth(JA): 60℃/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2400.0mΩ
- Qg(Typ): 6nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
- Id: 140A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ
- Qg(Typ): 73.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 150.0mΩ
- Qg(Typ): 20.0nC
- Rth(JC): 70 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
- Id: 43A
更新于 2026-06-25