场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 27mΩ
- Id: 23A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6mΩ
- Id: 105A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- Qg(Typ): 42.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -31A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 125.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 27mΩ
- Id: 23A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- Id: 19A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
- Id: 50A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
- Id: 81A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
- Id: 127A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
- Id: 150A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
- Qg(Typ): 120.0nC
- Rth(JC): 0.75K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 200W
- Id@TC 25C: -74A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
- Id: 64A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
- Id: 120A
更新于 2025-11-08